[发明专利]制造固态成像器件的方法

摘要

在一种导电类型的半导体衬底1的主表面部分中形成构成光电转换元件的相反导电类型的第一杂质区2和构成传输元件的相反导电类型的掩埋沟道区3，所述传输元件用于传输信号电荷，并且在该半导体衬底上形成第一绝缘膜4。然后，在包含所述掩埋沟道区上的一个区的区域中形成读出电极5，并且形成用于覆盖所述读出电极的第二绝缘膜6。此后，形成侧墙形成膜7a，并且基于一个蚀刻选择比来进行选择性蚀刻，由此在所述读出电极的侧面上形成侧墙7，同时第二绝缘膜置于其间。接着，利用所述读出电极和所述侧墙作为掩膜来进行离子注入，以便以自对准的方式形成一种导电类型的第二杂质区8，接着除去所述侧墙。在不降低灵敏度的情况下能够得到减小的暗电流、稳定的读出电压等，并且可以保持第二绝缘膜足够的厚度。

主权项

1、一种制造固态成像器件的方法，包括：在一种导电类型的半导体衬底的主表面部分中选择性地形成构成光电转换元件的相反导电类型的第一杂质区；在所述半导体衬底的所述主表面部分中形成构成传输元件的相反导电类型的掩埋沟道区，所述传输元件用于从所述光电转换元件传输信号电荷；在所述半导体衬底上形成第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上、在包含掩埋沟道区上的一个区的区域中形成一个读出电极，用于从所述光电转换元件读出和传输信号电荷；形成用于覆盖该读出电极的第二绝缘膜；在包含第二绝缘膜上的一个区域的半导体衬底上形成侧墙形成膜；进行蚀刻，以使相对于所述侧墙形成膜的蚀刻速度高于相对于所述第二绝缘膜的蚀刻速度，由此选择性地除去所述侧墙形成膜，以便在所述读出电极的侧面上形成由所述侧墙形成膜制成的侧墙，在所述读出电极和所述侧墙之间插有第二绝缘膜；使用所述读出电极和所述侧墙作为掩膜进行离子注入，以在所述光电转换元件的表面上以自对准的方式形成一种导电类型的第二杂质区；以及除去所述侧墙。