[发明专利]用于磁记录介质的衬底及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200510051808.3 申请日: 2005-03-03
公开(公告)号: CN1664933A 公开(公告)日: 2005-09-07
发明(设计)人: 新谷尚史;山形则男 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/84
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 钟强;樊卫民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供的是表面经过处理的衬底,其中,衬底的表面的粗糙度可以被控制。这种表面经过处理的衬底能够形成磁记录介质,其中,记录头浮动稳定性得到了保证,而且其具有能够实现高记录密度的磁膜。还提供了一种粗化衬底的表面的方法。更具体的说,提供了用于磁记录介质的表面磁膜处理的衬底,其中,用来形成记录层的表面每μm2含有40到1000个凸起,最大高度是10nm或是更小和平均粗糙度是0.3到2.0nm,而且在表面上没有任何缺陷或斑点。此外,还提供了制造用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底的方法,包括蚀刻硅衬底的表面的步骤,其中超声波被施加于硅衬底的表面而且衬底被摇动或旋转。还提供了包括一种所述硅衬底的磁记录介质。
搜索关键词: 用于 记录 介质 衬底 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底,衬底的表面每μm2具有40到1000个凸起,最大高度是10nm或更少和平均粗糙度是0.3到2.0nm,其中整个表面没有缺陷或斑点。
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