[发明专利]具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法有效
| 申请号： | 200510051675.X | 申请日： | 2001-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1645639A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | B·哈恩;U·雅各布;H·－J·卢高尔;M·蒙布罗德－范格罗 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 发光二极管芯片(1)，具有基于GaN的进行辐射的外延层序列，该外延层序列具有一个有源区、一个n掺杂层和一个p掺杂层。所述p掺杂层在其背向有源区的主面上设有进行反射的接触金属敷层(6)，该接触金属敷层具有一个能穿透辐射的接触层(15)和一个进行反射的层。另外还给出了一种用薄膜技术制造这种发光二极管芯片的方法以及一种具有这种发光二极管芯片的发光二极管器件。穿透辐射的接触层被布置在所述p掺杂层和所述反射层之间，而且所述的n掺杂层在其背向所述p掺杂层的主面上设有一个n接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 辐射 外延 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.发光二极管芯片(1)，具有-一个基于GaN的进行辐射的外延层序列(3)，该外延层序列具有一个有源区(19)、一个n掺杂层(4)和一个p掺杂层(5)，以及-一个分配给所述p掺杂层(5)的进行反射的接触金属敷层(6)，该接触金属敷层具有一个能穿透辐射的接触层(15)和一个进行反射的层(16)，而且所述穿透辐射的接触层(15)被布置在所述p掺杂层(5)和所述反射层(16)之间，而且-所述的n掺杂层(4)在其背向所述p掺杂层的主面(8)上设有一个n接触层(7)。
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