[发明专利]嵌入式微接触元件及其制造方法

摘要

一种嵌入式微接触元件，是通过由微机电制程所制成，该嵌入式微接触元件包含有：一悬臂，该悬臂可界定出一第一长侧边及一背向于该第一长侧边的第二长侧边；一针尖部，是连接于该第一长侧边一端且呈与该悬臂呈垂直方向延伸而成；一嵌入部，是自该第二长侧边上所垂直延伸而成。

主权项

1.一种嵌入式微接触元件的制造方法，其特征在于，步骤包含有：取一基版，并于该基版上沉积一介电薄膜；于该介电薄膜上形成一具有开口的第一遮蔽层；去除开口中的介电薄膜；去除第一遮蔽层；以非等向性蚀刻未受介电薄膜所覆盖的基版部位，使该基版形成一缺口；去除介电薄膜；于该基版的表层涂布一导电薄膜；于该导电薄膜的表层涂布一第二遮蔽层，且该第二遮蔽层形成有一开口对应于该基版的缺口；于位于该缺口中的导电薄膜上涂布一强化薄膜；去除第二遮蔽层；于该导电薄膜的局部位置上形成一具图形化的第三遮蔽层；于该导电薄膜上涂布一第一支撑材料；去阻第三遮蔽层，使该第一支撑材料中形成出若干的凹口；于该第一支撑材料的凹口中沉积一第一电铸材料，并将该第一电铸材料与第一支撑材料同时研磨整平；于位在该基版缺口上方的第一电铸材料上涂布一第四遮蔽层；沉积一牺牲层；去除第四遮蔽层，使仅位在该缺口中的第一电铸材料上方未涂布该牺牲层；于该第一电铸材料上方涂布一具有开口的第五遮蔽层；以电铸的方式于第五遮蔽层开口中形成一第二支撑材料；去除第五遮蔽层；于去除第五遮蔽层后，在该第二支撑材料中所形成的凹槽内沉积一第二电铸材料，并将该第二电铸材料与该第二支撑材料同时研磨整平；布设一具图形化开口的第六遮蔽层；于该第六遮蔽层的开口中沉积一接合金属层；去除第六遮蔽层；布设一具图形化的第七遮蔽层，且该第七遮蔽层略为覆盖于接合金属层的端缘；沉积一第三支撑材料；去除第七遮蔽层；于去除第七遮蔽层后，在第三支撑材料中所形成的凹孔中沉积一第三电铸材料，并加以研磨整平第三支撑材料与该第三电铸材料的上表面；同时去除第一、第二及第三支撑材料；去除导电薄膜。