[发明专利]形成NiP非磁性膜的方法和使用该膜制造磁头的方法无效
| 申请号： | 200510051143.6 | 申请日： | 2005-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1783217A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 三宅裕子;加藤雅也 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;H01F41/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的方法可以容易而安全地形成NiP非磁性膜。在通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法中，电解电镀在由以下组分构成的NiP电镀溶液中进行：提供镍离子的试剂；提供磷离子的试剂；和包含羧基的试剂。例如，镍的硫酸盐和氯盐等可以用作提供镍离子的试剂；磷酸、亚磷酸钠等可以用作提供磷离子的试剂。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 nip 磁性 方法 使用 制造 磁头 | ||
【主权项】：
1.一种通过电解电镀形成NiP非磁性膜的方法，其中所述电解电镀在包含以下成分的NiP电镀溶液中进行：提供镍离子的试剂；提供磷离子的试剂；和包含羧基的试剂。
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