[发明专利]ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品及其制备工艺无效
| 申请号： | 200510048905.7 | 申请日： | 2005-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1676678A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 邱东江;吴惠桢;余萍 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/16;C23C14/24;C23C14/08 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人： | 唐银益 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品属于一种用气相外延技术制备得到的氧化物微结构材料，其特征是先在衬底表面生长出高度c－轴取向(即垂直于衬底表面)的、高密度且均匀分布的六方结构ZnO纳米晶柱阵列，然后再在ZnO纳米柱阵列之上形成取向随机但几乎平行于衬底表面的、高密度的ZnO纳米晶丝。该产品的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，通过“二步沉积”工艺，在基底表面一次性生长得到。 | ||
| 搜索关键词： | zno 纳米 复合 结构 产品 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品，其结构特征是：在衬底表面有垂直于衬底表面的、高密度且均匀分布的六方结构ZnO纳米晶柱阵列，在ZnO纳米柱阵列之上平行于衬底表面的、高密度的ZnO纳米晶丝；采用电子束反应蒸发方法，以ZnO陶瓷靶材及NH3/H2混合气为原料，通过“二步沉积”工艺直接在衬底表面一次性生长得到ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品。
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