[发明专利]通过回流从较低层除去构图层的方法无效
| 申请号： | 200510048833.6 | 申请日： | 2002-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1811604A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 城户秀作 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种用于从较低层除去有机化合物层的方法，此方法包括步骤：将所述有机化合物层加热到预定的温度范围；将所述有机化合物层保持在高温环境中，以通过回流减薄所述有机化合物层的厚度；以及从所述较低层剥离所述有机化合物层。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 回流 低层 除去 构图 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于从较低层除去有机化合物层的方法，包括步骤：a)将所述有机化合物层加热到预定的温度范围；b)将所述有机化合物层保持在高温环境中，以通过回流减薄所述有机化合物层的厚度；以及c)从所述较低层剥离所述有机化合物层。
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