[发明专利]纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法

摘要

纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法，属于电子材料技术领域。本发明的纳米级陶瓷材料掺杂剂，其配方表示为：aA·bB·cC·dR₂O₃·eSiO₂；其中，A包括Na₂O；B包括MgO、CaO之一种或多种；C包括MnO₂、Co₃O₄之一种或多种；R包括Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu之一种或多种；其中，a、b、c、d、e是系数，以mol％计算,0≤a≤10％,0≤b≤25％，0≤c≤15％，20％≤d≤60％，10％≤e≤50％，b与c不同时为0。本发明的方法得到的介质材料初始颗粒超细，符合MLCC大容量、小型化的趋势，材料配方可调，烧结温度低；介电常数高，介质损耗小，制成的材料均匀性好，性能重复性好，有利于提高电容器的可靠性。

主权项

1、纳米级陶瓷材料掺杂剂，其特征在于，其配方表示为： aA·bB·cC·d R2O3·e SiO2 其中，A代表碱金属氧化物，包括Na2O；B代表碱土金属氧化物，包括MgO、CaO之一种或多种；C代表过渡金属氧化物，包括MnO2、Co3O4之一种或多种；R代表稀土金属，包括Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu之一种或多种；其中，a、b、c、d、e是系数，以mol％计算，0≤a≤10％，0≤b≤25％，0≤c≤15％，20％≤d≤60％，10％≤e≤50％，b与c不同时为0。