[发明专利]一种镓掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法无效
| 申请号： | 200510043865.7 | 申请日： | 2005-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1718840A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 马瑾 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 宋永吉 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种镓掺杂的氧化物透明导电薄膜材料的制备方法，属于光电子信息功能材料技术领域。在ZnO薄膜中进行镓掺杂，用偏压射频磁控溅射技术在真空条件下，在有机聚合物薄膜衬底上室温制备出具有多晶结构的ZnO∶Ga透明导电膜，溅射用陶瓷靶组分为氧化锌和三氧化二镓，工艺条件为：氩气分压0.5－5Pa，溅射功率50－200W，溅射偏压0～－100V。制得薄膜的载流子浓度为1.2×1021cm－3，迁移率为13.5cm2V－1S－1，电阻率为4.6×10－4Ωcm，方块电阻6.2Ω/□，可见光范围的透过率超过83％。扣除有机材料衬底的影响，在可见光范围内薄膜的平均透过率可以达到90％，性能优于ZnO∶Al薄膜，因此在有机平板显示和有机光电子器件等领域可以替代现有的透明导电膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化锌 透明 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种镓掺杂的氧化物透明导电薄膜材料的制备方法，其特征在于是在ZnO薄膜中进行镓掺杂，用偏压射频磁控溅射技术在真空条件下，在有机聚合物薄膜衬底上室温制备出具有多晶结构的ZnO:Ga透明导电膜，溅射用陶瓷靶组分如下，均为摩尔份量：氧化锌 1份，三氧化二镓 0.01～0.08份，工艺条件为：氩气分压0.5-5Pa，溅射功率50-200W，溅射偏压0～-100V。
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