[发明专利]碳化硅晶须生成炉及生产碳化硅晶须的方法

摘要

本发明公开了一种晶须生成炉以及用这种晶须生成炉生产晶须的方法。其目的是解决用现有的工业真空电炉不能连续生产碳化硅晶须问题。其晶须生成炉是在工业真空电炉基础上增加单向气密式给料装置和旋转式碳化硅晶须收集器；其方法是利用单向气密式阀门的开闭，进行连续供料及连续产出碳化硅晶须成品。把现有技术的间歇式生产变为连续式生产，碳化硅晶须生产过程中不需要降温停炉，即可实现连续加料、出料，可提高生产效率，节约能耗；由于采用了诱导板，使碳化硅晶须在诱导板上生成，实现了碳化硅晶须在生长过程中即与粉料的分离，不需要二次提纯，可简化生产工序，使碳化硅晶须的品质得到保证。

主权项

1、一种碳化硅晶须生成炉，包括石墨坩埚(1)、石墨加热体(2)、进气孔(3)、碳毡保温层(4)、炉壁(5)、出气孔(15)、上端盖(17)、观察孔(18)、下端盖(19)、石墨垫板(28)和石墨密封板(29)，其特征在于：还包括单向气密式给料装置和旋转式碳化硅晶须收集器；单向气密式给料装置包括高温下料管(6)、单向气密式阀门A(7)、给料室(8)、单向气密式阀门B(9)、低温下料管(10)、定量给料器(11)和三通阀门A(12)，低温下料管(10)通过法兰与定量给料器(11)连接，低温下料管(10)、给料室(8)和高温下料管(6)由单向气密阀门B(9)、单向气密阀门A(7)通过法兰连接在一起，定量给料器(11)固定在靠近炉体单独的平台上，单向气密式给料装置下端的高温下料管(6)穿过上端盖(17)和石墨密封板(29)插入石墨坩锅(1)内，炉子外面的低温下料管(10)下端装有固定法兰，通过螺丝连接在炉体上端盖(17)的法兰上；旋转式碳化硅晶须收集器包括可调速旋转装置(13)、连动轴(30)、诱导板(14)、晶须收集仓(26)、刮板(27)、高温出料管(20)、低温出料管(24)、单向气密式阀门D(25)、单向气密式阀门C(23)、卸料室(22)、三通阀门C(21)，诱导板(14)安装在石墨坩锅(1)和晶须收集仓(26)上方，通过连动轴(30)与炉外的可调速旋转装置(13)相连接，连动轴(30)通过轴承连接在上端盖(17)上，晶须收集仓(26)与高温出料管(20)连为一体，连动轴(30)为石墨质或碳/碳复合材料，位于石墨坩锅(1)旁边，刮板(27)固定在圆锥形的晶须收集仓(26)内，高温出料管(20)、卸料室(22)和低温出料管(24)由单向气密阀门D(25)、单向气密阀门C(23)通过法兰连接在一起，低温出料管(24)接近炉体部分装有固定法兰，通过螺丝连接在炉体下端盖(19)的法兰上。