[发明专利]一种多传感器集成芯片无效
| 申请号： | 200510042880.X | 申请日： | 2005-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1715838A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;蒋庄德;徐敬波;周建发;孙剑 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOI技术多传感器集成芯片，包括硅悬臂梁，硅膜，硅膜周边的支撑硅基，外围的硅质量块和玻璃基底。硅膜，硅膜周边的支撑硅基与玻璃底座结合，在芯片中间形成相对独立的真空环境作为压力传感器；单端固定的硅悬臂梁结构与外围的硅质量块连接，形成三维加速度传感器(X，Y，Z方向加速度)；外围的质量块结构上集成有湿度传感器和温度传感器。本发明的集成多传感器芯片采用SOI技术，将温度传感器、压力传感器、加速度传感器和湿度传感器集成在一块芯片上，解决了多传感器各参量之间相互干扰的问题，其体积小、重量轻，尤其在航空航天领域、军事工业领域、汽车领域以及手机行业等特定领域，具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 集成 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种多传感器的集成芯片，其特征在于，该芯片利用SOI技术的硅片制作，包括：硅膜(1)，硅膜周边的支撑硅基(2)，硅悬臂梁(3)，外围的硅质量块(4)和玻璃基底(5)；硅膜，硅膜周边的支撑硅基与玻璃底座通过阳极键合，在玻璃基底(5)和硅膜(1)中间形成相对独立的真空腔(6)作为压力敏感结构，然后通过硅膜上压力测量电路(11)将压力信号转变为电阻变化形成压力传感器；支撑硅基(2)外围单端固定的硅悬臂梁(3)与外围的硅质量块(4)连接，形成三维加速度敏感结构，通过硅悬臂梁(3)上设置的X，Y，Z方向加速度测量电路(8)、(9)、(10)将加速度信号转变为电阻变化，形成X，Y，Z方向加速度传感器；外围的质量块(4)上还集成有湿度传感器(12)和温度传感器(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510042880.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗脚臭病的药物及其制备方法
- 下一篇：一类海芒果苷衍生物、其制备方法及用途
