[发明专利]聚合物太阳能电池的深亚微米三维异质结界面及制备方法

摘要

本发明公开了一种聚合物太阳能电池(PSC)的深亚微米三维异质结界面的结构及其制作工艺步骤。该太阳能电池的特征为：其中p型施主聚合物半导体薄膜和n型受主聚合物半导体薄膜接触面的截面互为梯形镶嵌，构成深亚微米三维形状的异质结界面。本发明公开的异质结界面组合尺寸可整体上大大提高PSC的光电转换效率。深亚微米三维形状的异质结界面制作工艺的特征在于：p型聚合物材料为热塑型聚合物半导体；其上面的深亚微米三维结构采用金属镍模具加热加压成形，即热塑性成形；所述液态的n型聚合物涂敷后置入真空环境，使之填入p型聚合物上的深亚微米三维结构后，再在室温或加热固化。该制作工艺具备低成本、高效率、大面积制备的优势。

主权项

1.一种聚合物半导体太阳能电池的深亚微米三维异质结界面的结构，包括一透明的基底，其特征在于，透明的基底上方依次涂铺有透明金属正电极、金属—聚合物正极能级调节层、p型聚合物、n型聚合物、金属—聚合物负极能级调节层、金属负电极，其中，p型聚合物和n型聚合物之间的接触面在微观上互为镶嵌，构成深亚微米三维异质结界面。