[发明专利]硅片太阳电池制作方法无效
| 申请号： | 200510042673.4 | 申请日： | 2005-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1694268A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈娟娟;陈钊;李忠;陈肖;金昊;陈嘉煜;王瑞秀;白玉凤 | 申请（专利权）人： | 陈娟娟 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710038陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了太阳能应用领域一种硅片太阳能电池制作方法，本发明按生产过程依次为如下六个步骤：前道化学预处理；半导体PN结的制作；电感偶合等离子(ICP)刻蚀周边；淀积氮化硅薄膜；丝网印刷正、背面电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。铝浆小窗口处印刷采用银铝浆，保证了小窗口也同样获得铝背场的结构，并且实现了铝浆小窗口处的三价铝对五价磷的补偿作用，同时本发明也对烧穿氮化硅薄膜工艺中的硅电池正面PN结结深作了进一步优化设计，实施效果是单晶硅太阳电池的效率达14.6％，多晶硅太阳电池的效率达14.0％。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 太阳电池 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅片太阳电池制作方法，其特征在于：按制作方法生产顺序分为如下六个步骤：前道化学预处理；半导体PN结制作；电感偶合等离子刻蚀周边；淀积氮化硅薄膜；丝网印刷正、背面电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
