[发明专利]碳纳米管生长装置无效
| 申请号： | 200510036290.6 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1903709A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 何纪壮;张庆州 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管生长装置，其包括：一反应腔；一基底承载装置；以及一第一电极及一与该第一电极相对的第二电极。该基底承载装置位于该反应腔内，其具有一基底承载区，用于承载一生长碳纳米管用基底。该第一电极及第二电极均设于该反应腔内，且位于所述基底承载区的相对的两侧，该第二电极可相对于该第一电极运动。通过改变第二电极与第一电极的相对位置，可变更在第一电极与第二电极之间的电场电力线方向；进而可改变碳纳米管的生长方向，其可实现碳纳米管向多个方向生长的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 生长 装置 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管生长装置，其包括：一反应腔；一基底承载装置，其位于该反应腔内，该基底承载装置具有一基底承载区，用于承载一生长碳纳米管用基底；以及一第一电极及一与该第一电极相对的第二电极，该第一电极及第二电极均设于该反应腔内，且位于所述基底承载区的相对的两侧，该第二电极可相对于该第一电极运动。
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