[发明专利]碳纳米管阵列制作方法有效
| 申请号： | 200510036148.1 | 申请日： | 2005-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1899958A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管阵列制作方法，其步骤包括：提供一基底，在该基底上形成一遮挡层；提供一催化剂溅射源，配合遮挡层在基底上溅射出一具有厚度梯度的催化剂层，并且在所述厚度梯度范围内，有一处的厚度最接近一最佳厚度；去除遮挡层，退火处理所述催化剂层；通入碳源气，在上述处理后的催化剂层上生长碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列向背离所述最佳厚度的方向弯曲生长。通过上述碳纳米管阵列制作方法可实现对碳纳米管阵列局部至少向一个方向弯曲生长的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管阵列制作方法，其步骤包括：提供一基底，在该基底上形成一遮挡层；提供一催化剂溅射源，配合遮挡层在基底上溅射出一具有厚度梯度的催化剂层，并且在所述厚度梯度范围内，有一处的厚度最接近一最佳厚度；去除遮挡层，退火处理所述催化剂层；通入碳源气，在上述处理后的催化剂层上生长碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列向背离所述最佳厚度的方向弯曲生长。
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