[发明专利]导电纳米二氧化硅的合成方法无效
| 申请号： | 200510035715.1 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1737949A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李玲 | 申请（专利权）人： | 广州市精埔新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/14 | 分类号： | H01B1/14 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510760广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导电纳米SiO2的合成方法，步骤依次为：配制硅酸酯溶液、硅酸钠或硅酸钾溶液；加入复合表面活性剂，搅拌；加酸溶液，调节pH值到6～9；加入含Sn、Sb、In或Ti中的至少一种离子的盐酸盐或硫酸盐溶液，搅拌；将所得产物过滤、洗涤、烘干，得粒径为20～80nm的白色或浅白色粉末，其分散均匀，颜色稳定性好，电阻率低，抗静电效果好。本发明的合成方法简单，生产成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 纳米 二氧化硅 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种导电纳米二氧化硅的合成方法，其特征在于依次包括如下步骤：A、配制重量百分比浓度为5％～30％的硅酸酯溶液、硅酸钠或硅酸钾溶液；B、加入复合表面活性剂，搅拌；C、加入酸溶液，调节pH值到6～9；D、加入含Sn、Sb、In或Ti中的至少一种离子的盐酸盐或硫酸盐溶液，Sn、Sb、In、Ti的总摩尔浓度为0.1％～10％，搅拌；E、将D步骤所得产物过滤、洗涤、烘干，得粒径为20～80nm的白色或浅白色粉末。
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