[发明专利]等离子体增强薄膜沉积方法及装置无效
| 申请号： | 200510032719.4 | 申请日： | 2005-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1800441A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈杰良 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体增强薄膜沉积装置及薄膜沉积方法。其中，该装置包括：一密闭腔室；一电磁装置，用以于该腔室内预定的等离子体发生区域产生预定强度的磁场；一微波装置，用以产生微波并发射微波至该等离子体发生区域；一对溅射靶，彼此相对设置于该腔室内的等离子体发生区域两侧，各溅射靶分别与一阴极接触；及一固持器，用以固持待处理的工件；其中，该微波的频率匹配该磁场强度足以产生电子回旋共振，藉此产生高能离子轰击该溅射靶，使得靶材原子激发出来并沉积于工件表面形成薄膜。本发明具有靶材来源广，薄膜质量优良之特点。另外，本发明还揭示一种利用等离子体沉积薄膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 薄膜 沉积 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体增强薄膜沉积装置，其包括：一密闭腔室，其具有反应气体入口及抽真空系统；一电磁装置，用以于该腔室内预定的等离子体发生区域产生预定强度的磁场；一微波装置，用以产生微波并发射微波至该等离子体发生区域；其特征在于，还包括一对溅射靶，彼此相对设置于该腔室内的等离子体发生区域二侧，各溅射靶分别与一阴极接触；及一固持器，用以固持待处理的工件；其中，该微波的频率匹配该磁场强度足以产生电子回旋共振，藉此产生等离子体离子轰击该溅射靶，使得靶材原子激发出来并沉积于工件表面形成薄膜。
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