[发明专利]高介电常数栅介质TiO2/Al2O3堆栈结构薄膜

摘要

一种高介电常数栅介质TiO₂/Al₂O₃堆栈结构薄膜，由Al₂O₃缓冲层、TiO₂层组成，TiO₂层沉积在Al₂O₃缓冲层上，Al₂O₃缓冲层厚度为1～3nm，TiO₂层厚度为3～5nm。本发明TiO₂/Al₂O₃堆栈结构，充分利用了Al₂O₃与硅衬底优异的界面性能和TiO₂的高介电常数性能，优势互补。Al₂O₃缓冲层的加入改善了TiO₂薄膜与硅的界面性能，界面层的生长被有效抑制。TiO₂淀积后，堆栈结构的等效氧化物厚度与未淀积时的等效氧化物厚度相比并没有显著提高，在相同等效氧化物厚度情况下，由于实际厚度的增加，漏电流下降了1～2个数量级。因此，TiO₂/Al₂O₃堆栈结构是MOSFET结构中栅介质材料的较有前景的候选材料。

主权项

1、一种高介电常数栅介质TiO2/Al2O3堆栈结构薄膜，其特征在于，由Al2O3缓冲层、TiO2层组成，TiO2层沉积在Al2O3缓冲层上。