[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510030321.7 | 申请日： | 2005-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1770486A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 江风益;王立;方文卿 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法。本发明的发光器件具有上下电极结构，通过使器件发光层两侧的两个欧姆电极在对应空间上形状互补或刻除挡光电极下面部分半导体层，可以减小传统上下电极发光器件中的电流拥挤现象，改善电流扩展、提高发光器件的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光器件，包含：一个具有主面和背面的导电衬底，层叠于所述导电衬底主面之上的粘接金属层，层叠于所述粘接金属层之上的反射/欧姆金属层，层叠于所述反射/欧姆金属层之上的半导体叠层，该半导体叠层中至少包含一个N型半导体层和一个P型半导体层，层叠于所述半导体叠层之上的第一欧姆电极，层叠于所述导电衬底背面的第二欧姆电极，其特征在于：其中所述的反射/欧姆金属层具有一空缺，且该具有空缺的反射/欧姆金属层和所述的第一欧姆电极在衬底主面上的投影形状互补。
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