[发明专利]适用于场致电子器件的碳纳米管侧壁电极结构无效
| 申请号： | 200510030262.3 | 申请日： | 2005-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1770353A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;侯中宇;蔡炳初;徐东;魏星 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J1/36;H01J9/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种适用于场致电子器件的碳纳米管侧壁电极结构，属于传感器和电子光学器件领域。本发明包括：基片和碳纳米管侧壁电极，基片表面支撑和排列碳纳米管侧壁电极，所述的基片由一种或多种导电材料、半导体材料和绝缘材料组合而成，基层为单层或者多层，基层或者进行图形化从而形成平面或者立体结构，所述的碳纳米管侧壁电极中的碳纳米管暴露于阴极和阳极侧壁。本发明具有电极结构简单，电极间距可以在微电子制造技术的精度范围内有效控制，本发明的碳纳米管侧壁电极同时将碳纳米管应用于阳极和阴极，充分和有效地利用和发挥了碳纳米管电极的性能优势和微电子制造工艺的加工技术优势。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 致电 器件 纳米 侧壁 电极 结构 | ||
【主权项】：
1.一种适用于场致电子器件的碳纳米管侧壁电极结构，包括：基片(1)和碳纳米管侧壁电极(2)，其特征在于，基片(1)表面支撑和排列碳纳米管侧壁电极(2)，所述的基片(1)由一种或多种导电材料、半导体材料和绝缘材料组合而成，基层(1)为单层或者多层，基层(1)或者进行图形化从而形成平面或者立体结构，所述的碳纳米管侧壁电极(2)中的碳纳米管暴露于阴极和阳极侧壁。
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