[发明专利]用于半导体器件的使用大气压的材料原子层沉积的方法有效
| 申请号： | 200510029998.9 | 申请日： | 2005-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1937175A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于原子层沉积的方法。所述方法包括提供具有表面区域的衬底，并将所述衬底的所述表面区域暴露于大气压。该方法还至少将所述衬底保持在大约大气压下，并且利用原子层沉积形成上覆于所述表面区域的膜，同时所述衬底被保持在大约大气压下。优选地，所述膜以大于每分钟1纳米的速率生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 使用 大气压 材料 原子 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于原子层沉积的方法，该方法包括：将多个衬底放置在一盒子中；取出所述多个衬底中的一个；将所述一个衬底施加在移动构件上，该移动构件被耦合到多个气体分配构件，所述多个气体分配构件被编号为1到N，其中N为整数；以及通过移动构件移动所述衬底，以串行方式从第一气体分配构件到第N气体分配构件将所述衬底的表面暴露于所述多个气体分配构件中的一个或者多个，同时将衬底保持在大气压下；以及当所述表面在所述移动构件上移动并且面向所述多个气体分配构件中的一个或者多个时，形成上覆于所述表面的原子层膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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