[发明专利]σ-π共轭型有机聚合物材料及其制备方法和应用无效
申请号: | 200510029514.0 | 申请日: | 2005-09-08 |
公开(公告)号: | CN1743408A | 公开(公告)日: | 2006-03-08 |
发明(设计)人: | 黄维;汪伟志;范曲立 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06;H05B33/14 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属有机聚合物材料技术领域,具体涉及一类有利于改善电子和空穴注入和传输平衡性能、提高材料稳定性、结构相对规整的有机/聚合物电致发光材料及其制备方法。该类材料中含有电子传输结构的单元以及具有空穴传输性能的结构,如聚硅烷、聚锗烷、聚锡烷等。其中聚硅烷、聚锗烷、聚锡烷等结构具有良好的空穴传输性能,并且取代烷基的引入可以减少分子间的聚集体的形成。聚硅烷、聚锗烷、聚锡烷等结构有利于提高材料的玻璃化转变温度,改善材料的热稳定性和光谱稳定性。这种结构的设计可以对电致发光材料的性能有着很好的改善效果。 | ||
搜索关键词: | 共轭 有机 聚合物 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1、一种有机/聚合物材料,其特征在于结构中引入芴或寡聚芴或聚芴,或者引入1,3,4-噁二唑、取代苯胺、吡啶、苯并咪唑、萘、三唑、噻唑、喹啉、蒽或吩嗪结构作为电子传输段,引入具有空穴传输性能的聚硅烷、聚锗烷、聚锡烷作为空穴传输段,其结构如下式所示:
其中,M代表具有电子传输性能的n-型结构单元;G代表具有空穴传输性能的p-型结构单元,n代表单体的重复个数,n≥1;m代表整个重复单元的个数,m≥1;R1、R2、R3和R4指代一些相同或不同的、用于增强材料溶解性的基团,包括:烷基CnH2n+1(n=1~12),长链烷氧基,不饱和烷基链或芳香烃链,或者含有芳基和长链烃基的基团。
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