[发明专利]运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 200510029498.5 | 申请日： | 2005-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1737999A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 沈文忠;陈新义;陈红 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44;C23C16/24 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体材料领域的运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法，用等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷、氢气为生长源气体和单晶硅材料作为衬底，通过优化并固定磷烷掺杂浓度，改变调节射频溅射功率这一生长条件，调控硅晶粒的尺寸以及晶粒周围氢原子配置环境，实现晶粒内部的晶格结构应变，从而使高密度有序纳米硅晶粒薄膜的电子迁移率提高到103cm2/Vs量级。本发明在工艺成熟的单晶硅衬底上生长出的高电子迁移率氢化纳米硅薄膜有利于制作高性能器件和大规模集成电路，所制备的氢化纳米硅薄膜具有很好的电学性能，并具有高电子迁移率(达到103cm2/Vs量级)和高电导率(在5.7－109.8Ω－1cm－1范围内)等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 运用 晶格 应变 制备 电子 迁移率 氢化 纳米 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法，其特征在于，用等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷、氢气为生长源气体和单晶硅材料作为衬底，通过优化并固定磷烷掺杂浓度，改变调节射频溅射功率这一生长条件，调控硅晶粒的尺寸以及晶粒周围氢原子配置环境，实现晶粒内部的晶格结构应变，从而使高密度有序纳米硅晶粒薄膜的电子迁移率提高到103cm2/Vs量级。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
