[发明专利]原位反应法制备莫来石结合的碳化硅多孔陶瓷无效
| 申请号： | 200510029152.5 | 申请日： | 2005-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1769241A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 丁书强;曾宇平;江东亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/577;C04B35/185;C04B38/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以石墨为造孔剂、以碳化硅表面原位反应生成的莫来石为结合相的碳化硅多孔陶瓷的制备方法，属于多孔陶瓷范畴。其特征在于利用碳化硅表面部分氧化生成的二氧化硅与氧化铝反应，原位生成莫来石，使碳化硅颗粒结合。SiC∶Al2O3∶石墨∶Y2O3＝1∶0.1～1∶0～1∶0～0.05(重量比)，加入酚醛树脂和乙醇，混合后球磨、烘干、研磨、过筛、干压成型，然后在空气中烧成，得到莫来石结合的碳化硅多孔陶瓷。所得多孔陶瓷的抗弯强度可达20MPa以上，开口孔隙率20～70％，孔径0.1～30微米，体积密度1.0～2.2g/cm3，热膨胀系数6～9×10－6K－1 (0～800℃)，可用于常温、高温和高腐蚀环境下的液体和气体过滤器以及高温催化剂载体等材料。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 反应 法制 备莫来石 结合 碳化硅 多孔 陶瓷 | ||
【主权项】：
1、一种原位反应制备莫来石结合的碳化硅多孔陶瓷的方法，包括原料选择、配比混合、双面干压成型以及烧结工艺，其特征在于以石墨为造孔剂、氧化钇为烧结助剂，SiC高温下氧化生成SiO2，再由生成的SiO2直接与Al2O3颗粒原位反应生成莫来石，制备成莫来石结合的碳化硅多孔陶瓷。
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