[发明专利]金属硅化物制作中的选择性离子注入预非晶化方法

摘要

金属硅化物制作中的选择性离子注入预非晶化方法，是PMOS场效应晶体管中进行应变源漏的硅锗外延生长后，通过对硅锗外延生长的区域进行离子注入预非晶化，使其在形成金属硅化物过程中的反应温度降低，从而与硅及多晶硅的形成金属硅化物的反应温度接近或一致，以便得到均匀的金属硅化物层，保证片电阻的均匀性。

主权项

1.金属硅化物制作中的选择性离子注入预非晶化方法，包括a)在多晶硅氧化物层上淀积多晶硅，光刻形成图案；b)去除多晶硅栅极上的硬掩模；c)形成多晶硅间隔层；d)在PMOS和NMOS区域形成保护层；e)光刻胶覆盖NMOS区域和多晶硅栅极；f)NMOS区域和PMOS多晶硅栅极在电介质和光刻胶的保护下，在PMOS的源漏区域进行硅凹陷刻蚀；g)去除光刻胶；h)在硅凹陷区域进行硅锗外延生长；i)进行选择性离子注入非晶化；j)去除保护层；k)金属硅化物制作。