[发明专利]低电阻率金属氧化物镍酸镧的制备方法

摘要

本发明公开了一种低电阻率金属氧化物镍酸镧薄膜的制备方法，该方法是通过采用磁控溅射的方法沉积镍酸镧薄膜，然后对镍酸镧薄膜进行高压氧热处理得到低电阻率的导电金属氧化物镍酸镧薄膜。该方法的优点是得到的薄膜电阻率极低，有利于器件的铁电性能充分发挥，并可降低器件的工作电压。制备方法简单，生长的薄膜材料性能稳定、重复性好、成本低。薄膜材料的整个生长和后处理温度都低于硅读出电路的最高容忍温度450℃，因此用本发明方法制备的LNO薄膜材料作为铁电微器件的底电极可以和硅读出电路集成。

主权项

1.一种低电阻率金属氧化物镍酸镧薄膜的制备方法，其制备步骤如下：A.溅射靶制备用纯度为99.9％的La2O3和Ni2O3粉末按1∶1的La、Ni原子比混合研磨后压制成块体，然后在1100℃高温下烧结3个小时，制成LNO靶；B.薄膜材料制备；C.薄膜材料后处理；其特征在于所说的薄膜材料制备步骤是：首先将按常规方法清洗后的(100)取向的单晶硅衬底放入溅射仪中，抽真空至10-4Pa；然后对单晶硅衬底加热，使其保持在200-400℃；再通入氩气与氧气，其氧分压为20-60％，气压保持在1.5Pa-1.7Pa，进行溅射沉积LaNiO3薄膜，溅射功率为80-100W，溅射时间根据薄膜厚度的需要而定；所说的薄膜材料后处理的步骤是：将上述制备好的薄膜材料放入高压釜内进行高压氧热处理，压力保持在1.5-8Mpa，热处理温度为200-400℃，时间为4-6小时，其中升温速率为8.24℃/min，降温速率为30℃/h。