[发明专利]磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法

摘要

本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构是在10¹⁸cm^－3高施主掺杂InP衬底上外延生长1－5×10¹⁷cm^－3电子浓度的InP缓冲层；(b)所述的另一种结构是在具较高位错密度的1－5×10¹⁷cm^－3低掺施主浓度的InP衬底上外延生长0.8－3×10¹⁷cm^－3电子浓度的InP缓冲层。该缓冲层可作为降低中红外折射率色散的下波导包裹终止层、有源区电流扩散终止层、腐蚀终止层、改善衬底与外延层界面质量的吸杂层。具有改善、提高InP基异质结构材料与器件性能的多功能、多用途特点。

主权项

1、一种磷化铟基中红外波段量子级联激光器緩冲层，其特征在于所述的缓冲层为下述二种结构中的任何一种：(a)所述的一种结构是在1018cm-3高施主掺杂InP衬底上外延生长1-5×1017cm-3电子浓度的InP緩冲层；(b)所述的另一种结构是在具较高位错密度的1-5×1017cm-3低掺施主浓度的InP衬底上外延生长0.8-3×1017cm-3电子浓度的InP緩冲层。