[发明专利]硅基在片螺旋电感等效电路单Π对称模型参数的提取方法无效
| 申请号： | 200510028560.9 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1908943A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 姜楠;谢利刚;黄风义 | 申请（专利权）人： | 爱斯泰克（上海）高频通讯技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是关于硅基在片螺旋电感等效电路单Π对称模型参数的提取的一种新型解析方法。这种方法是针对硅CMOS超大规模集成电路芯片技术中，特别是射频集成电路广泛应用的在片螺旋电感器件，在测试的S－参数的基础上进行模型参数的提取。本方法通过对一系列反映了电感器件最重要特性的特征函数的分析，发现这些特征函数呈现一定的线性规律。从线性系数中，可直接求出等效电路模型的参数值。本方法解决了目前国际上利用传统的迭代和拟合方法提取参数所无法避免的多值性和非最佳解等问题。利用本方法所提取的参数进行电感仿真，可以实现同测试结果高精度的符合。 | ||
| 搜索关键词： | 螺旋 电感 等效电路 对称 模型 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在片螺旋电感的单II对称等效电路模型参数的提取方法，其特征是：通过测量的S-参数，利用特征函数的解析法提取在片螺旋电感等效电路模型参数值。
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