[发明专利]消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置有效

专利信息
申请号: 200510028204.7 申请日: 2005-07-28
公开(公告)号: CN1717996A 公开(公告)日: 2006-01-11
发明(设计)人: 杨小强;王建忠 申请(专利权)人: 上海思源电气股份有限公司
主分类号: A01N53/08 分类号: A01N53/08;A01N25/04
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 201108上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种用于电气技术领域的消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置,包括:第一级保护可控硅T1、第二级保护可控硅T2、触发电流控制电阻R1~R4、电流互感器TA、阻尼电阻R,其特征在于,阻尼电阻R连接在消弧线圈的未端X和地之间,第一级保护可控硅T1并联在阻尼电阻R两端,触发电流控制电阻R1、R2连接在第一级保护可控硅T1触发端和阻尼电阻R两端;第二级保护可控硅T2并联在阻尼电阻R两端,触发电流控制电阻R3、R4连接在第二级保护可控硅T2触发端和阻尼电阻R两端;电流互感器TA串联在阻尼电阻R上。本发明不但动作速度快,没有机械动作,而且不需要电压引入,做到高、低压完全隔离,可靠性和性价比都具有较大的竞争优势,具有极高的应用价值。
搜索关键词: 弧线 阻尼 电阻 可控硅 保护装置
【主权项】:
1、一种消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置,包括:电流互感器TA、阻尼电阻R,其特征在于,还包括:第一级保护可控硅T1、第二级保护可控硅T2、触发电流控制电阻R1~R4,阻尼电阻R连接在消弧线圈的未端X和地之间,第一级保护可控硅T1并联在阻尼电阻R两端,触发电流控制电阻R1、R2连接在第一级保护可控硅T1触发端和阻尼电阻R两端;第二级保护可控硅T2并联在阻尼电阻R两端,触发电流控制电阻R3、R4连接在第二级保护可控硅T2触发端和阻尼电阻R两端;电流互感器TA串联在阻尼电阻R上,其中可控硅T1和T2的选择取决于消弧线圈额定电流,控制电阻R1~R4的选择取决于阻尼电阻R两端的启动电压的整定值U1、U2和可控硅触发电流Ik,其中触发电流控制电阻R1=R2=U1/Ik,R3=R4=U2/Ik,作为第二级保护U2>U1。
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