[发明专利]多晶硅栅极掺杂方法有效
| 申请号： | 200510027415.9 | 申请日： | 2005-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1889236A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 朱蓓;宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的多晶硅栅极掺杂方法，其特征是去除多晶硅硬掩模和多晶硅栅极掺杂集成的方法。在去除多晶硅硬掩模之前，在整个表面覆盖高流平性涂层，首先等离子刻蚀去除部分该涂层，再用等离子刻蚀或/和湿法刻蚀去除硬掩模，然后对多晶硅栅极自对准掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 栅极 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅栅极的掺杂方法，包括：形成PMOS多晶硅栅极，作为栅极导电结构；形成间隔层；硅衬底凹陷刻蚀；选择性外延生长硅锗层；覆盖高流平性涂层；回蚀，去除部分涂层和硬掩模；形成光刻胶图案；多晶硅上进行离子注入以掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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