[发明专利]双面太阳能电池的制造方法有效
| 申请号: | 200510027171.4 | 申请日: | 2005-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN1885568A | 公开(公告)日: | 2006-12-27 |
| 发明(设计)人: | 苏晓平;江彤 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/04 |
| 代理公司: | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人: | 刘名华;楼仙英 |
| 地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明提供双面太阳能电池制造方法,其特征是,每片硅晶片的背面上涂覆无碱玻璃和银-铝浆料,将两片硅晶片按背面对背面的方式重叠,两个重叠的硅晶片共烧结构成一个整体,成为双面太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词: | 双面 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、双面太阳能电池的制造方法,包括以下工艺步骤:步骤1,检测用ADE机检测作为制造太阳能电池的起始材料的直径为200mm的P-型硅晶片的电阻率和厚度;步骤2,预清洗P-型硅晶片;步骤3,腐蚀P-型硅晶片,在P-型硅晶片的一边上形成绒面结构,另一边保持光面结构;步骤4,化学溶液(RCA)清洁处理;步骤5,其上有绒面结构的P-型硅晶片进行N+型杂质扩散(例如,磷(P)扩散),形成N-阱,所形成的N-阱与P-型硅晶片衬底的界面处形成PN结;步骤6,硅晶片上用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积氮化硅(SiN)膜;步骤7,硅晶片正面上丝网印刷银浆料,硅晶片背面上丝网印刷银-铝浆料;步骤8,低温干燥,去除银浆料和银-铝浆料中的溶剂;步骤9,经过前面的步骤1-8所造成的硅晶片背面喷涂溶液;步骤10,低温干燥,干燥温度是100℃-200℃,去除玻璃溶液中的溶剂;步骤11,将经过以上工艺步骤制成的两张硅晶片按背面对背面的方式叠在一起,然后进行高温烧结使两个硅晶片重叠在一起,形成双面太阳能电池单元;步骤12,测试所制成的太阳能电池并进行分类;用阳光模拟器检测I-V曲线,检测项目包括:Voc,Jsc,电阻率,F.F和有效容量Cy;根据Voc Jsc,电阻率,F.F和有效容量Cy值将太阳能电池分成48类;步骤13,经过上述工艺步骤制成的双面太阳能电池安装在基板上,构成太阳能电池系统,按垂直于地面的方式安装太阳能电池系统,以保持稳定的输出电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





