[发明专利]以ITO为P电极的两次光刻GaN基LED电极制作方法无效
| 申请号： | 200510026992.6 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1885569A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 田洪涛;陈长清;刘伟;张栋;刘榕 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 310018浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了以ITO为P电极的两次光刻GaN基LED电极制作方法，包括：步骤一，形成一ITO薄膜于一GaN基板上；步骤二，形成一SiO2薄膜以覆盖所述ITO薄膜；步骤三，形成一窗口在SiO2薄膜上；步骤四，在所述窗口上刻蚀露出ITO导电薄膜；步骤五，在所述露出的ITO导电薄膜上，形成一ITO导电薄膜被腐蚀区域，所述ITO导电薄膜被腐蚀的区域较所述窗口的区域略大；步骤六，对所述ITO导电薄膜被腐蚀区域部分的GaN基板和其余区域部分的SiO2薄膜同时进行刻蚀；步骤七，在所述GaN基板上沉积形成P、N电极金属的窗口；步骤八，在所述P、N电极金属的窗口形成P、N电极。 | ||
| 搜索关键词： | ito 电极 两次 光刻 gan led 制作方法 | ||
【主权项】：
1、以ITO为P电极的两次光刻GaN基LED电极制作方法，包括：步骤一，形成一ITO薄膜于一GaN基板上；步骤二，形成一SiO2薄膜以覆盖所述ITO薄膜；步骤三，形成一窗口在SiO2薄膜上；步骤四，在所述窗口上刻蚀露出ITO导电薄膜；步骤五，在所述露出的ITO导电薄膜上，形成一ITO导电薄膜被腐蚀区域，所述ITO导电薄膜被腐蚀的区域较所述窗口的区域略大；步骤六，对所述ITO导电薄膜被腐蚀区域部分的GaN基板和其余区域部分的SiO2薄膜同时进行刻蚀；步骤七，在所述GaN基板上沉积形成P、N电极金属的窗口；步骤八，在所述P、N电极金属的窗口形成P、N电极。
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