[发明专利]一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510026546.5 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1877856A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李建文;陈志伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率MOS器件以及一种制造大功率MOS器件的方法。该方法包括以下步骤：成长场氧化层；去除氮化硅；去除二氧化硅；成长硬掩膜；沟槽光刻；沟槽主刻蚀；沟槽底部离子注入；沟槽底部圆化刻蚀；去除硬掩膜；成长栅氧化层；成长多晶硅栅；金属层互连。利用本发明制造的大功率MOS器件深沟槽底部栅氧化层的厚度比沟槽上的栅氧化层厚，其栅极和漏极之间的寄生电容CGD较小，有较好的频率特性。本发明可应用于MOS器件制造技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深沟 大功率 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种深沟槽大功率MOS器件，其特征在于，其深沟槽底部栅氧化层的厚度比沟槽上的栅氧化层厚。
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