[发明专利]以氧化钇为基质的纳米级上转换发光材料及其制备方法有效
| 申请号： | 200510025618.4 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1687306A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 章健;王士维;安丽琼;刘敏;陈立东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C09K11/78 | 分类号： | C09K11/78 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种稀土离子双掺杂或者三掺杂的氧化钇基上转换发光材料及其制备方法，属于发光物理学中的发光材料领域。其特征在于采用共沉淀法，在氧化钇基质中掺杂两种或者三种稀土离子，实现高效率的上转换发光。本发明所获得的氧化钇基上转换发光粉粒径为60－80nm’且为单一立方结构，颗粒分布均匀，上转换效率高，性能稳定，制备工艺简单，且在808或980nm波长的红外辐射的激发下，可以实现蓝色、绿色、红色、橙黄色等多种不同颜色的上转换发光。该粉体可掺杂在多种物理化学性能不同的材料中，用于红外辐射探测、防伪和生物分子荧光标记等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钇 基质 纳米 转换 发光 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种以氧化钇为基质的纳米级上转换发光材料，以稀土离子为掺杂元素，其特征在于掺杂的稀土元素为Yb、Nd、Er、Tm、Ho、Tb、Pr、Eu、Dy或Sm中的两种或者三种；掺杂稀土元素Yb或Nd的氧化物的浓度为1～30mol％、掺杂稀土元素Er、Tm、Ho、Tb、Pr、Eu、Dy、Sm的氧化物的浓度为0.1％～15mol％。
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