[发明专利]改善ESD晶体管源漏结电容的方法有效
申请号: | 200510025455.X | 申请日: | 2005-04-27 |
公开(公告)号: | CN1855366A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | 姚泽强;钱文生 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/336;H01L21/265;H01L23/60;H01L29/92 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善ESD晶体管源漏结电容的方法,采用ESD离子注入所特有的光刻板,该光刻板只打开需要作ESD离子注入漏端局部区域,并对ESD漏极的局部区域进行ESD离子注入。本发明可以有效解决常规工艺中,由于ESD器件的源漏结电容过大造成的器件速度过低的问题。 | ||
搜索关键词: | 改善 esd 晶体管 源漏结 电容 方法 | ||
【主权项】:
1、一种改善ESD晶体管源漏结电容的方法,其特征在于:在NMOS器件的源漏离子注入完成以后,插入ESD光刻,光刻时光刻板仅打开ESD漏极的局部区域,并对ESD漏极的局部区域进行ESD离子注入,然后除去光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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