[发明专利]应用大马士革工艺制造集成电路的方法

摘要

本发明属集成电路制备工艺技术领域，具体为一种利用双层光敏感材料和单层光敏材料相互组合，分步依次制造大马士革通孔，再使用双层光敏感材料的底层抗反射填涂材料填充通孔，并进行回刻，随后多次涂布、多重烘烤双层光敏感材料的顶部光敏感低介电常数材料，依靠光刻、显影以及等离子体表面硬化处理，即非化学反应刻蚀手段制造金属导线的大马士革技术，从而完成大马士革的制造。减少实际生产中的填充缺陷发生，简化刻蚀的工艺要求，进一步提高合格率，并且由于使用低介电常数的多孔材料，大大降低了金属导线间和金属层之间的电容，进一步缩小了电阻－电容时间延迟。

主权项

1、一种应用大马士革工艺制造集成电路的方法，其特征在于：在大马士革底层通孔介质层上先使用单层光敏感材料光刻工艺进行通孔的制造，再使用双层光敏感材料的底层抗反射吸收材料填充通孔，使用双层光敏感材料的顶层光敏感试剂覆盖所述大马士革底层通孔介质层及所述双层光敏感材料的底层抗反射吸收材料，随后涂布、烘烤双层光敏感材料的顶层光敏感低介电常数试剂，通过光刻、显影以及等离子体表面硬化处理，形成大马士革上层金属导线槽介质层。