[发明专利]一种微细光刻图案方法有效
| 申请号： | 200510024213.9 | 申请日： | 2005-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1828422A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 崔彰日 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微细光刻图案方法，采用改进的深紫外(DUV)光刻胶和底层树脂。此方法在未使用光学改进方法的条件下可以减小光刻胶的厚度，实现光刻图案安全的高宽比，从而提高图案的分辨率和关键尺寸的均匀性、曝光宽容度和聚焦深度。由于采用底层树脂，在后续刻蚀工艺中不需要通常薄层光刻胶需要的硬掩模，而得到衬底上高分辨率的转移图案，使DUV光刻胶的应用可延伸至0.11μm及以下的技术。此方法的应用可以简化量产工艺，降低成本，提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微细 光刻 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微细光刻图案方法，包括在整个被刻蚀的衬底层表面涂敷一层底层树脂；在底层树脂层的上表面涂敷一层光刻胶；对光刻胶层进行要求图案的曝光，和曝光后烘烤；光刻胶层和底层树脂层在显影液中显影，在光刻胶和底层树脂层上形成光刻图案；光刻胶和底层树脂层作为刻蚀阻挡层进行选择性刻蚀，将图案转移到衬底上。
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