[发明专利]用于化合物半导体材料生长的喷头及原料输入方法

摘要

本发明公开了一种用于化合物半导体材料生长的化学气相沉积设备的喷头及原料输入方法，它包括第一气体供应管1、第二气体供应管2、冷却水供应管3、喷头本体4、第一进气腔5、第二进气腔6、水冷腔7、第一气体注入管8、第二气体注入管9。所述第一气体注入管的横截面积大于第二气体注入管的横截面积，且所述第一气体注入管和第二气体注入管交替地排列。进入量大的元素周期表中的V或VI族原料通过第一气体注入管进入，进入量小的元素周期表中III族或II组原料通过第二气体注入管进入。

主权项

1、一种用于化合物半导体材料生长的喷头，包括：喷头本体、第一气体供应管、第二气体供应管、第一进气腔、第二进气腔、第一气体注入管、第二气体注入管，其特征在于：所述第一气体注入管出口的横截面积大于第二气体注入管出口的横截面积，第一气体注入管的进口恒截面积不小于其出口横截面积，且所述第一气体注入管和第二气体注入管交替地排列。