[发明专利]晶片处理装置及晶片处理方法无效
| 申请号： | 200510023756.9 | 申请日： | 2005-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1815700A | 公开（公告）日： | 2006-08-09 |
| 发明（设计）人： | 郭佳衢 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种免除RTP制程中的开回路阶段的晶片处理装置及晶片处理方法。本发明的晶片处理方法包含于一预热室中将晶片加热至一预定的温度(例如，550℃)；及接着将晶片移至RTP室以直接于闭回路控制下进行晶片加热。本发明的晶片处理方法由于免除了RTP制程中的开回路阶段，因而减少晶片破损、变形等缺点，并增进半导体制程的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶片处理装置，包含：一预热室，用以加热晶片至一预定温度；RTP室，用以于闭回路控制下加热晶片；及一冷却室，用以冷却晶片至80℃以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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