[发明专利]直拉硅单晶中低氧控制方法有效
| 申请号： | 200510023563.3 | 申请日： | 2005-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1807703A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 施承启;马四海 | 申请（专利权）人： | 上海合晶硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201617*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种直拉硅单晶中低氧控制方法，其特点是：起始磁场强度为300－2500GS，未端磁场强度为50－1500GS，磁场强度变化速率为1－10GS/min，坩埚转速变化范围为0.1－10rpm，晶体转速变化范围为10－30rpm，晶体拉速为0.5－3mm/min，氩气流量为2－7m3/hr，炉内压力为1－4KPa。采用上述技术方案，能有效地使整根单晶(坩埚装料量为15kg－60kg，单晶直径为Φ2″－Φ6″。)氧含量在三段目标范围(5.5×1017a/cm3－7.0×1017a/cm3、5.0×1017a/cm3－6.5×1017a/cm3、4.0×1017a/cm3－5.5×1017a/cm3)的某一段，而且整根单晶氧含量偏差为±0.5×1017a/cm3，径向氧含量不均匀性≤5％，单晶成品率60％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉硅单晶中 低氧 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种直拉硅单晶中低氧控制方法，其特征在于，采用下述的工艺条件：起始磁场强度为300~2500GS，未端磁场强度为50~1500GS，磁场强度变化速率为1~10GS/min，坩埚转速变化范围为0.1~10rpm，晶体转速变化范围为10~30rpm，晶体拉速为0.5~3mm/min，氩气流量为2~7m3/hr，炉内压力为1~4kpa。
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