[发明专利]漏斗结构垂直外腔面发射激光器无效
| 申请号： | 200510023032.4 | 申请日： | 2005-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1783604A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 金泽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/32;H01S5/323;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种表面发射激光装置。第一衬底设置在第一电极层和第一反射层之间。有源区设置在第一反射层和第二反射层之间。电流阻挡层设置在有源区上以形成孔。第一半导体层可以设置在第二电极层和第二反射层之间。第二电极层可以具有基本与孔对准的开口。电流漏斗区可以位于形成在孔和第二电极开口之间的腔内。可以配置电流漏斗区以促进腔内的传导。 | ||
| 搜索关键词： | 漏斗 结构 垂直 外腔面 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种表面发射激光装置，包括：设置在第一电极层和第一反射层之间的第一衬底；设置在所述第一反射层和第二反射层之间的有源区，其中电流阻挡层设置在所述有源区和第二电极层之间以形成孔；设置在所述第二电极层和所述第二反射层之间的第一半导体层，其中所述第二电极层具有基本与所述孔对准的开口；及在位于所述孔和所述第二电极的开口之间的腔中的电流漏斗区，其中配置电流漏斗区以促进腔内的传导。
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