[发明专利]具有深槽电荷补偿区的半导体器件及方法有效
| 申请号： | 200510022820.1 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1822389A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 加里·H·莱厄切尔特;彼得·J·兹德贝尔;戈登·M·格里芙娜 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施方案中，一半导体器件形成在半导体材料体中。该半导体器件包括一电荷补偿槽，该电荷补偿槽形成在邻近该器件的有源部分。电荷补偿槽包括一个槽，该槽被填以相反导电类型的层的各种半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电荷 补偿 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一半导体材料体；以及一电荷补偿区，包括一个在该半导体材料体中形成的槽，其中该槽被填以相反导电类型的半导体层。
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