[发明专利]多元氧化物薄膜晶粒大小控制方法无效
| 申请号： | 200510021463.7 | 申请日： | 2005-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1912172A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 张树人;刘敬松;杨成韬;袁颖 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/58;C23C16/40;C23C16/56;H01L21/324 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 多元氧化物薄膜晶粒大小控制方法，涉及一种多元氧化物薄膜制备技术，特别是一种控制薄膜晶粒大小，实现生长的薄膜晶粒大小符合实际需要的方法，属于薄膜材料领域。本发明提供一种在制备多元氧化物薄膜时，对薄膜晶粒大小的控制方法，使生长的薄膜晶粒大小符合实际需要。本发明通过调整晶粒成核温度的保持时间与晶粒长大温度保持时间的比值来控制薄膜晶粒大小，晶粒粒径与比值负相关。发明的有益效果是，采用本发明的控制方法，能够满足不同需求，制备不同大小的晶粒，使粒径大小处于完全可控的状态。根据电子器件结构要求，设计特定的热处理工艺路线，能够得到晶粒大小符合器件结构设计要求的多元氧化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多元 氧化物 薄膜 晶粒 大小 控制 方法 | ||
【主权项】：
1、多元氧化物薄膜晶粒大小控制方法，其特征在于，通过调整晶粒成核温度的保持时间与晶粒长大温度保持时间的比值来控制薄膜晶粒大小，晶粒粒径与比值负相关。
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