[发明专利]PDP保护屏的电磁波屏蔽膜的制作方法无效
| 申请号： | 200510020548.3 | 申请日： | 2005-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1758842A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 梁春林;汤嘉陵;王雨田;张勇;蒲志勇 | 申请（专利权）人： | 四川世创达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;H01J9/00;H01J17/16 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 | 代理人： | 蒲敏 |
| 地址： | 610512*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种PDP保护屏的电磁波屏蔽膜的制作方法，其具体步骤为：1)静电处理：对PET表面进行静电释放处理；2)真空溅射膜：采用真空直流磁控溅射技术，在上述经处理后的PET上溅射金属膜；3)等离子刻蚀网膜：采用高精密等离子体刻蚀技术，在上述金属膜上刻蚀网孔膜；4)等离子去胶：去除上述网孔膜上的刻蚀胶后即成。本发明的电磁波屏蔽膜由于采用了刻蚀技术来制作网孔膜，因此网膜的线径和网间距均很小，网膜的对比度高、不产生光学变形，电磁波屏蔽性能好。 | ||
| 搜索关键词： | pdp 保护 电磁波 屏蔽 制作方法 | ||
【主权项】：
1、PDP保护屏的电磁波屏蔽膜的制作方法，其制作方法为：1)静电处理：对PET表面进行静电释放处理；2)真空溅射膜：采用真空直流磁控溅射技术，在上述经处理后的PET上溅射金属膜；3)等离子刻蚀网膜：采用高精密等离子体刻蚀技术，在上述金属膜上刻蚀网孔膜；4)等离子去胶：去除上述网孔膜上的刻蚀胶后即成。
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