[发明专利]PDP保护屏的吸收近红外线和橙色光基片的制作方法无效
| 申请号： | 200510020547.9 | 申请日： | 2005-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1758076A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 梁春林;汤嘉陵;王雨田;张勇;蒲志勇 | 申请（专利权）人： | 四川世创达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;G02B1/10;C23C14/34 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 | 代理人： | 蒲敏 |
| 地址： | 610512*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种PDP保护屏的吸收近红外线和橙色光基片的制作方法，其具体步骤为：1)先用50℃～60℃的中性洗涤剂刷洗基片，再采用超声的清洗方式用电阻率为15～17MΩ·cm的去离子水，对基片进行清洗；2)在温度为50℃～80℃的温度场中，对基片均匀烘烤；3)在反应溅射室中充入介质气体对上述经处理后的基片进行真空溅射镀膜即成。由于本发明采用直接在基片上溅射介质膜和金属膜，去掉了PET，因此具有很好的吸收近红外线和橙色光的光学特征，色纯度纯正并且膜层的雾度低，对比度高。 | ||
| 搜索关键词： | pdp 保护 吸收 红外线 橙色 光基片 制作方法 | ||
【主权项】：
1、PDP保护屏的吸收近红外线和橙色光基片的制作方法，其制作方法为：1)先用50℃～60℃的中性洗涤剂刷洗基片，再采用超声的清洗方式用电阻率为15～17MΩ.CM的去离子水，对基片进行清洗；2)在温度为50℃～80℃的温度场中，对基片均匀烘烤；3)在反应溅射室中充入介质气体对上述经处理后的基片进行真空溅射镀膜即成。
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