[发明专利]一种用于TiO₂光电池的光电阴极及其制备方法无效

申请号：	200510019565.5	申请日：	2005-10-10
公开（公告）号：	CN1779991A	公开（公告）日：	2006-05-31
发明（设计）人：	韩俊波;周正国;王取泉	申请（专利权）人：	武汉大学
主分类号：	H01L31/0224	分类号：	H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/283
代理公司：	武汉天力专利事务所	代理人：	程祥;冯卫平
地址：	43007***	国省代码：	湖北;42
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摘要：	本发明涉及一种光电阴极，包括基片及附着在基片上的阴极层，阴极层由碳和铂通过溅射法制成的膜，膜中碳的含量为30～100wt％。其制备方法为：将沉积在基片上的膜在20～800℃进行射频等离子体处理0.5～10小时；处理功率20～600W。本发明得到的光电阴极作为TiO₂光电池电极，可提高TiO₂光电池光电转换效率并降低TiO₂光电池制作成本。
搜索关键词：	一种用于 tio sub 光电池光电阴极及其制备方法
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【主权项】：

1.一种光电阴极，包括基片及附着在基片上的阴极层，其特征是：阴极层为由碳和铂通过溅射法制成的膜，膜中碳的含量为30～100wt％。

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