[发明专利]一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置无效
| 申请号： | 200510019161.6 | 申请日： | 2005-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1718847A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 范湘军;彭友贵;杨兵;付德君 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 武汉天力专利事务所 | 代理人： | 程祥;冯卫平 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置，包括真空室，真空室设有抽真空口，真空室内设有磁控靶和工件架，磁控靶呈对靶设置，每对磁控靶由一个中频电源供电，工件架位于对靶之间。本发明由于采用上述结构，每对磁控靶由一个中频电源供电，使得对靶之间等离子体分布均匀、致密，从而提高镀膜效率、镀膜能力和离子镀效果，降低镀膜成本，提高涂层均匀性，同时，由一个电源控制一对靶，使得镀膜过程更易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 孪生 磁控溅射 离子镀 沉积 装置 | ||
【主权项】：
1.一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置，包括真空室，真空室设有抽真空口，真空室内设有磁控靶和工件架及支撑工件架的支座，其特征在于：磁控靶呈对靶设置，每对磁控靶由一个中频电源供电，工件架位于对靶之间。
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