[发明专利]用电化学沉积制备锰掺杂的氧化锌薄膜和纳米柱的方法

摘要

本发明涉及采用电化学沉积生长方法在导电衬底上生长有锰掺杂的氧化锌稀磁半导体薄膜和纳米柱。沉积前，首先对导电衬底进行清洗后作为工作电极；然后采用溶质为ZnCl₂、Mn(CH₃COOH)₂和Zn(CH₃COO)₂一起与去离子水配制成电解溶液，在上述电解溶液中添加0.1mol/L的氯化钾KCl形成电解液；将铟膜分别蒸镀在上述工作电极和对电极上，制成蒸铟工作电极和蒸铟对电极，并将蒸铟工作电极和蒸铟对电极分别引出导线；把蒸铟工作电极和蒸铟对电极放在上述配好的电解液中，再利用恒温仪控制电解液的温度不变，并选定恒定沉积电压为－0.6～－1.0V，沉积时间为0.5～2小时。本发明具有设备简单、成本低、材料生长温度低，及设计灵活等优点。不仅适合于科学研究，而且适合于大规模工业生产。

主权项

1、用电化学沉积制备锰掺杂的氧化锌薄膜和纳米柱的方法，其特征在于制备过程如下：(a)沉积前，首先对导电衬底进行清洗后作为工作电极；(b)采用溶质为ZnCl2、Mn(CH3COOH)2和Zn(CH3COO)2一起与去离子水配制成电解溶液，在上述电解溶液中添加0.1mol/L的氯化钾KCl形成电解液；(c)将铟膜分别蒸镀在步骤(a)的工作电极和对电极上，制成蒸铟工作电极和蒸铟对电极，并将蒸铟工作电极和蒸铟对电极分别引出导线；(d)把步骤(c)中的蒸铟工作电极和蒸铟对电极放在步骤(b)中配好的电解液中，再利用恒温仪控制电解液的温度不变，并选定蒸铟工作电极和蒸铟对电极两端的恒定沉积电压为-0.6V～-1.0V，沉积时间为0.5小时～2小时。