[发明专利]制备微晶硅的方法无效
| 申请号： | 200510016606.5 | 申请日： | 2005-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1727526A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 黄金英;付国柱;荆海;凌志华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/02;H01L21/34 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 130031吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料领域，是一种制备微晶硅的方法。本发明将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜，用紫外光辅助热退火的方法使非晶硅薄膜转化成微晶硅。所用的紫外光辅助热退火的方法是将非晶硅薄膜置于真空退火炉中，进行真空热退火的同时辅以紫外光照射，非晶硅薄膜吸收紫外光能量转化为自身热能，紫外光的诱导作用不仅使非晶硅到微晶硅的相变温度降低，而且加速了相变过程。使用这种方法可以制备出结晶度较高的微晶硅薄膜，可以在普通玻璃上制备大面积均匀的微晶硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 微晶硅 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备微晶硅的方法，其特征是将直接沉积在玻璃基板上的非晶硅薄膜，用紫外光辅助热退火的方法使非晶硅薄膜转化成微晶硅；所用的紫外光辅助热退火的方法是将非晶硅薄膜样品置于紫外光辅助热退火装置中，进行真空热退火的同时辅以紫外光照射，非晶硅薄膜吸收紫外光能量转化为自身热能，紫外光的诱导作用不仅使非晶硅到微晶硅的相变温度降低，而且加速了相变过程。
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