[发明专利]光电极处理水中难降解有机物的工艺无效

专利信息
申请号: 200510012789.3 申请日: 2005-09-01
公开(公告)号: CN1760139A 公开(公告)日: 2006-04-19
发明(设计)人: 樊彩梅;王韵芳;梁镇海;张晓燕;王艳;孙彦平 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C02F1/32 分类号: C02F1/32;C02F1/46
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 代理人: 庞建英
地址: 030024山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 一种光电极处理水中难降解有机物的工艺属于环境化工光电催化水处理技术领域。采用光电性能优越的掺锑二氧化锡薄膜电极作为光电催化有机水处理的光电极,空气氧电极作为阴极,两电极相互平行并垂直置于光电催化反应器中,依据装置的处理能力,电极可采用多组串联或并联,365nm波长紫外光源置于反应器中心或反应器外侧。本发明选用钛片或碳化硅片为基体的纳米掺锑氧化锡薄膜光电极,不仅利用其优良的半导体光电催化性能,而且利用其阳极的氧化作用与空气氧电极阴极的还原作用发生的协同效应,提高了体系·OH自由基浓度,故能有效彻底去除水中难降解有机物,是一种新的光电催化水处理工艺。
搜索关键词: 电极 处理 水中 降解 有机物 工艺
【主权项】:
1.一种光电极处理水中难降解有机物的工艺,其特征在于是一种纳米掺锑二氧化锡薄膜光电极处理水中难降解有机物的工艺,该工艺采用浸渍提拉工艺制成的掺锑二氧化锡薄膜电极作为光电催化有机水处理的光电极,光电催化反应器水平放置,掺锑二氧化锡薄膜电极与另一工作电极相互平行并垂直置于光电催化反应器中,紫外光源置于反应器中心或反应器外侧,外加直流电的电压控制在0.5-5V,处理时间为1~3小时,浸渍提拉工艺制成的掺锑二氧化锡薄膜光电极选用钛片或碳化硅片为基体的纳米掺锑氧化锡薄膜光电极。
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